研发背景：世界上第二个成功批量生产半导体工艺用CVD碳化硅聚焦环的公司:2016年开始向SKC Solmix供应产品。随着芯片特征尺寸的减小，半导体工艺的高度集成化，等离子体能量逐渐提高，刻蚀机工艺腔和腔体内部件的耐等离子体刻蚀性变得越来越重要。因而在半导体工业中，使用具有耐等离子刻蚀性能、高强度的碳化硅材料成为趋势。基于材料特性，使用碳化硅材料的零件，寿命最多可以比使用硅材料增加2倍，同时可以提高蚀刻设备的生产效率，减少费用。碳化硅材料的硬度仅次于钻石,加工技术难度大,本公司有着多年技术开发和批量生产的从业经验，能够自主开发加工工具，提供最佳的产品生产条件,并以此为基础确保了韩国国内和日本、美国等地的主要半导体企业的供货渠道。技术亮点：碳化硅的制备方式有反应烧结，常压烧结，化学气象沉积法(CVD)。反应烧结碳化硅在高温使用时，烧结体内的硅会熔融和蒸发，在洗涤工艺中残留的硅会融化。常压烧结碳化硅工艺费用低廉，但存在烧结密度低的问题。本公司制备的CVD碳化硅在相对低温的领域里具有接近于碳化硅理论密度的特性。并且可以得到几乎不含杂质的高纯度碳化硅，机械特性和耐氧化性优异，具有可以调节的电学特性。要利用碳化硅实现产品化，则必须具备CVD装备、能够在装备内制备出高品质生长膜的工艺条件以及能够加工出具有类似钻石硬度的材料的精密加工技术。本公司以自身的技术力量为基础,自行制作出能升温至1400度的高温真空炉沉积设备-CVD设备, 此设备可确保制备高品质膜所需的沉积条件。与此同时，拥有对制得材质进行精密加工的工艺技术条件，以及自主生产加工设备的能力。确保碳化硅材料在开发阶段的加工工艺条件,短期内可以制造少量产品。但碳化硅膜本身是多晶膜, 随着批量生产工艺的进行,会出现很多无法预料的问题。由于多晶膜（多个方向的结晶在边界上形成面的结构）的特性，在加工过程中，如不能很好地处理小晃动、Tool的使用周期等问题，在收尾作业时会因结晶的小碎片脱落，引起外观不良，导致无法产品化的情况。这种批量生产工艺的Know-How是短期技术开发无法克服的非常重要的经验性技术,而本公司拥有这种批量生产技术。对于最近需要的产品来说，开发专用Tool (Tool的角度、形状、材质等)是必需的。本公司确保了可以应对这种情况的开发Know-How及Tool专业合作公司等的合作Infra。另外,以前在利用传统方式的Stand-alone type加工设备(MCT等)对碳化硅材料进行精密加工时,一个人需要运营两、三台设备,因此产生了加工人力的供需、确保量产稳定性等很难解决的问题。作为解决方案,本公司开发了适用于碳化硅材料加工工艺中的自动化材料切割设备和利用5轴机器人的MCT自动化生产线相关技术,并已应用于批量生产。