半导体器件可靠性( ESD、EMI) 设计
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成果基于FinFET、LIGBT、LDMOS技术,针对常规ESD设计存在窗口大、电流泄放电阻大、二次失效电流小等问题,提出小触发电压、大维持电压、高二次失效电流为主要特征的ESD防护新结构,从定程度上优化了ESD防护设计各参数之间的折衷关系。电磁兼容(EMI)方面,基于VDMOS和IGBT技术提出了具有一定抗EMI能力的新型VDMOS和IGBT。
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